Unser Kunde:
Das Unternehmen ist ein führender Entwickler von Halbleiterspeichertechnologien der nächsten Generation.
Zuständigkeiten:
- Leitung der Entwicklung neuartiger NVM-Speichermodule (ReRAM) in fortgeschrittenen Knotenpunkten;
- Beaufsichtigung des Speicherdesigns von der Architektur bis zum Layout, der Verifizierung und der Charakterisierung;
- Abstimmung der Speicherspezifikationen mit den Systemanforderungen durch Zusammenarbeit mit Kunden und Marketing;
- Optimieren Sie Timing und Leistung und wenden Sie DFT-Strategien an;
- Implementierung von Best Practices für stromsparendes, spannungsarmes und leckagearmes Design.
Erforderliche Erfahrungen und Qualifikationen:
- Mehr als 10 Jahre praktische Erfahrung in der Entwicklung flüchtiger oder nichtflüchtiger Speicher;
- Fundierte Kenntnisse der Speicherarchitektur, des Entwurfs analoger Schaltungen, des Kompromisses zwischen Leistung und Timing sowie der Halbleiterphysik;
- Erfahrung in der Charakterisierung von Speicher-Timing und -Leistung;
- Ausgeprägtes Fachwissen über fortschrittliche CMOS-Prozesse (FDSOI, FinFET);
- Beherrschung von Entwurfspraktiken mit geringem Stromverbrauch und hoher Zuverlässigkeit;
- Kenntnisse in Cadence Virtuoso, SPICE, Fast-SPICE und Mixed-Signal-Simulatoren;
- Vertrautheit mit parasitärer Extraktion, High-Sigma-Analyse und Speichercharakterisierungsabläufen.
- Englisch - Obere Mittelstufe.
Das wäre ein Plus:
- Erfahrung mit der Entwicklung von Speicher-Compilern.
Arbeitsbedingungen
5-Tage-Woche, 8-Stunden-Arbeitstag;
Alle UA-Feiertage sind arbeitsfreie Tage;
Urlaubs- und Krankheitszeiten werden vom Unternehmen übernommen;
Fernarbeit.